Плазменные технологии в микроэлектронике. Часть 2. Особенности радикального травления полупроводниковых материалов в галогенсодержащей плазме [Текст]. - Воронеж : Издательский дом ВГУ, 2014. - 22 с. ; нет. - Б. ц. Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint Кл.слова (ненормированные): физика -- плазмы -- галогеносодержащая -- плазма -- травление -- радикальное -- травление -- полупроводниковые -- материалы -- микроэлектроника Аннотация: Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.
Доп.точки доступа: Владимирова, Людмила Николаевна \авитель.\; Дикарев, Юрий Иванович \авитель.\; Рубинштейн, Владимир Михайлович \авитель.\; Петраков, Владимир Иванович \авитель.\
Свободных экз. нет