Логин
(фамилия)
:
Пароль
(штрих-код)
:
- результаты поиска
Базы данных:
Электронный каталог МУБиНТ, г. Ярославль
Электронный каталог МУБиНТ, г. Рыбинск
Центр иностранной литературы
Сводный каталог НТЛ по Ярославской области
"Руконт"-Национальный цифровой ресурс
Электронный каталог выпускных квалификационных работ
Виды поиска:
Стандартный
Расширенный
По словарю
Поиск в найденном
Ключевые слова
Автор
Заглавие
Год издания
Найдено в других БД:
Электронный каталог МУБиНТ, г. Ярославль (2)
Отсортировать найденные документы по:
автору
заглавию
году издания
типу документа
Поисковый запрос:
(<.>K=ПОЛУПРОВОДНИКИ<.>)
Общее количество найденных документов
:
16
Показаны документы
с 1 по 16
1..16
1.
539.2(075)
К 61
Колпаков, В. А.
Основы физики твердого тела [Текст] : [учеб. пособие для заоч. формы обучения] / В. А. Колпаков, А. И. Колпаков, С. В. Кричевский . - Самара : Издательство СГАУ, 2010. - 97 с. ; нет. -
ISBN
978-5-7883-0764-0 : Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
539.2(075)
ББК
22.3
Кл.слова (ненормированные):
физика
--
твердого
--
тела
--
электронные
--
свойства
--
твердого
--
тела
--
электроны
--
полупроводники
--
статистика
--
Ферми-Дирака
--
закон
--
действующих
--
масс
Аннотация:
Основы физики твердого тела. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/176330?urlId=M/Jxf1m758Weu+7nceifIq5xCWeAhR4iGle5G3A635uSOb0OPIjp5a6p1DfcB3fQhgIXfU9rTiDRO2ZCJOaRRw==
Доп.точки доступа:
Колпаков, А.И.; Кричевский , С.В.
Свободных экз. нет
Найти похожие
2.
531.3+537.311.322
К 89
Кузнецова, И. А.
.
Физическая кинетика полупроводников [Текст] : учеб. пособие / И. А. Кузнецова. - Ярославль : ЯрГУ, 2006. - 104 с. ; нет. -
ISBN
978-5-8397-0502-9 : Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
531.3+537.311.322
ББК
В379.35я73
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники
--
физическая
--
кинетика
--
полупроводников
--
кинетические
--
процессы
--
явления
--
переноса
--
электропроводность
Аннотация:
Основное внимание в учебном пособии уделено изложению линейной классической теории стационарных явлений переноса в полупроводниках. Рассмотрен наиболее простой случай сферически-симметричной энергетической зоны. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в тонких проволоках в переменном электрическом поле. Пособие написано на основе лекционного курса, читаемого автором в течение ряда лет для студентов физического факультета ЯрГУ. Вместе с тем пособие не является конспектом лекций, поскольку содержит дополнительный материал для желающих изучить предмет более глубоко.
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/200164?urlId=mZB6wY9oxCd3Vf/wJEfjv7L1lY3ZdImQ7s5CNGTmBfEVV/EDZFzTR1h27ICaJRmmZAw46pX15Kwwm/hG0udAbQ==
Доп.точки доступа:
Яросл. гос. ун-т
Свободных экз. нет
Найти похожие
3.
537.311.322
П 53
Полупроводниковые диоды
[Текст] : метод. указания по выполнению лаб. работ. - Ярославль : ЯрГУ, 2007. - 62 с. ; нет. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
537.311.322
ББК
З852.2я73
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые
--
диоды
--
полупроводники
Аннотация:
В методических указаниях содержатся теоретические сведения и излагается порядок выполнения лабораторных работ по изучению физических основ работы полупроводниковых диодов.
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/206978?urlId=Ilxl+NvBa6m4VObFUFHNtdEhMLJr8SLE616UzZRbfiQgynyFwOrZqPZ1D57U3atmg9vgy6v/pFLcd+hIH0pXKg==
Доп.точки доступа:
Зимин, С. П. \авитель.\; Петровская, Т. А. \авитель.\; Яросл. гос. ун-т
Свободных экз. нет
Найти похожие
4.
539.2
Б 86
Бочкарева, Л. В.
.
Физика полупроводников и полупроводниковых приборов [Текст] : метод. указания / Л. В. Бочкарева, А. С. Рудый , А. Б. Чурилов. - Ярославль : ЯрГУ, 2007. - 68 с. ; нет. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
539.2
ББК
В379.2я73
Кл.слова (ненормированные):
физика
--
полупроводников
--
полупроводниковые
--
приборы
--
полупроводники
Аннотация:
Методические указания содержат описания лабораторных работ. Предназначены для студентов, обучающихся по специальности 010803 Микроэлектроника и полупроводниковые приборы (дисциплина «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов», блок ОПД), очной формы обучения.
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/206983?urlId=JczmcmUi31hvMedf0t3iB6c8WCHP5LMPUqzKZCD9Bwlbfy87Xbc8WfGsLjxR4A/8Ij2uyPBM1CkTIluvinzASg==
Доп.точки доступа:
Рудый , А. С.; Чурилов, А. Б.; Яросл. гос. ун-т
Свободных экз. нет
Найти похожие
5.
533.9:620.5
М 74
Модификация нанослоев в
высокочастотной плазме пониженного давления [Текст] : монография / И. Ш. Абдуллин [и др.]. - Казань : КГТУ, 2007. - 370 с. ; есть. -
ISBN
978-5-7882-0553-3 : Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
533.9:620.5
ББК
22.333
Кл.слова (ненормированные):
модификация
--
нанослоев
--
нанослои
--
материалов
--
высокочастотная
--
плазма
--
пониженного
--
давления
--
качество
--
изделий
--
плазменная
--
обработка
--
материалов
--
металлы
--
сплавы
--
полупроводники
--
диэлектрики
--
тонкопленочные
--
покрытия
--
наноматериалы
--
нанотехнологии
Аннотация:
Работа посвящена модификации поверхностного нанослоя металлов, их сплавов, полупроводников, диэлектриков, тонкопленочных покрытий с помощью высокочастотных разрядов индукционного и емкостного типов при пониженном давлении. Описывается физическая и математическая модели модификации поверхности материалов в высокочастотной плазме пониженного давления, а также результаты теоретического исследования закономерностей формирования основных параметров процесса модификации.
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/229663?urlId=c7PQmrWq4Jk3J2LZ8LWQD+yhE03ga8D/a3bjhppEaZiqQKbkMV8Wb8+hZdDaIBQIwTBdbgVPNtrjl2dzMJe3ww==
Доп.точки доступа:
Абдуллин, И. Ш.; Желтухин , В. С.; Сагбиев , И. Р.; Шаехов, М. Ф.; Казан. гос. технол. ун-т
Свободных экз. нет
Найти похожие
6.
539.21:541.182
З-62
Зимин, С. П.
.
Наноструктурированные халькогениды свинца [Текст] : монография / С. П. Зимин, Е. С. Горлачев. - Ярославль : ЯрГУ, 2011. - 232 с. ; есть. -
ISBN
978-5-8397-0861-7 : Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
539.21:541.182
ББК
22.379
Кл.слова (ненормированные):
наноструктурированные
--
полупроводники
--
халькогениды
--
свинца
Аннотация:
В монографии излагается современное состояние науки о формировании, исследовании и свойствах наноструктурированных полупроводников халькогенидов свинца PbX (X = Те, Se, S). Рассмотрены размерные эффекты в изучаемых материалах, подробно обсуждены новые подходы создания низкоразмерных систем на основе электрохимических и плазменных процессов.
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/237953?urlId=c8Z0+wtmkpkkGjHejKPw4qVRdh+v0ZwWkufzYP2xPeVpUGu9BdH1pwN86XxtG2ejzxmRz3s7w1MBm4voc1NIwA==
Доп.точки доступа:
Горлачев, Е. С.; Яросл. гос. ун-т им. П. Г. Демидова
Свободных экз. нет
Найти похожие
7.
621.316.825
Р 83
Рудь, Н. А.
.
Изучение терморезистора [Текст] : метод. указания / Н. А. Рудь, А. Н. Сергеев. - Ярославль : ЯрГУ, 2012. - 60 с. ; есть. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
621.316.825
ББК
22.379.2я73
Кл.слова (ненормированные):
терморезисторы
--
физика
--
твердого
--
тела
--
металлы
--
полупроводники
--
диэлектрики
--
теория
--
проводимости
Аннотация:
В данных методических указаниях рассматриваются теоретические основы электрической проводимости в терморезисторах, даётся классификация материалов по величине и механизму проводимости, сравниваются особенности классической и современной теории проводимости. Описаны устройство и применение терморезисторов с различными типами проводимости. Подробно излагается порядок выполнения лабораторной работы общего физического практикума «Изучение терморезистора». Издание осуществлено при финансовой поддержке Программы АВЦП «Развитие научного потенциала высшей школы» (проект № 2.1.1/13083).
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/238204?urlId=NG//H34CsszthbdhdVfpQ+q4klHS3SWkg8dfeK2SI+hOpuRaCW+zz8rBkiGsA8GV+0UH1575mANG7RxN77gVNQ==
Доп.точки доступа:
Сергеев, А. Н.; Яросл. гос. ун-т им. П. Г. Демидова
Свободных экз. нет
Найти похожие
8.
Внутренний фотоэффект в
полупроводниках [Текст]. - Воронеж : Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2009. - 20 с. ; нет. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
Кл.слова (ненормированные):
физика
--
полупроводников
--
полупроводники
--
внутренний
--
фотоэффект
--
фотоэлектрические
--
эффекты
--
фоторезистивный
--
эффект
--
фотодиффузионный
--
эффект
--
фотомагнитный
--
эффект
Аннотация:
Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/245141?urlId=AUrKVZm9AmKg4quplTKKfRJ8S/y5iE299tv6dLaAqJVCEg2VJoRWsPdH2vf9wYuEGa5XulwCqdX0lH2Ga7Byng==
Доп.точки доступа:
Владимирова, Людмила Николаевна \авитель.\; Бормонтов, Евгений Николаевич \авитель.\; Берло, Екатерина Николаевна \авитель.\
Свободных экз. нет
Найти похожие
9.
Определение удельного сопротивления
полупроводников четырехзондовым методом [Текст]. - Воронеж : Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2009. - 18 с. ; нет. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
Кл.слова (ненормированные):
физика
--
полупроводников
--
полупроводники
--
удельное
--
сопротивление
--
определение
--
удельного
--
сопротивления
--
четырехзондовый
--
метод
Аннотация:
Учебно-методическое пособие по дисциплине «Физические основы полупроводников и микроэлектроники» подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/245153?urlId=KsRtwH1PNpM36AaeTHXp+qSW3D7QnwnHYJ+s3hD4VhSW1Q+YCXmBCCR13BYe6jI502cMN1otHEuBeYW9BdHd0Q==
Доп.точки доступа:
Владимирова, Людмила Николаевна \авитель.\; Бормонтов, Евгений Николаевич \авитель.\; Петраков, Владимир Иванович \авитель.\
Свободных экз. нет
Найти похожие
10.
Определение типа проводимости
полупроводника [Текст]. - Воронеж : Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2009. - 19 с. ; нет. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
Кл.слова (ненормированные):
физика
--
полупроводников
--
полупроводники
--
проводимость
--
тип
--
проводимости
--
определение
--
типа
--
проводимости
Аннотация:
Учебно-методическое пособие по дисциплине «Физические основы полупроводников и микроэлектроники» подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/245413?urlId=eI/C9opFr4p7cgHtzED0W7VeNVTvJyRdeVutz4LvAMVmlnXckx6+EkGfzTMBzsT0y/IqqYW3kXMc8JZDCKJC7Q==
Доп.точки доступа:
Владимирова, Людмила Николаевна \авитель.\; Бормонтов, Евгений Николаевич \авитель.\; Петраков, Владимир Иванович \авитель.\
Свободных экз. нет
Найти похожие
11.
519.7:004.8
В 16
Валюхов, Дмитрий Петрович
.
Физические основы электроники [Текст] : учебное пособие : Направление подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи. Бакалавриат / Д. П. Валюхов, Р. В. Пигулев. - Ставрополь : изд-во СКФУ, 2014. - 135 с. ; есть. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
519.7:004.8
ББК
22.18:32.85
Кл.слова (ненормированные):
Электроника
--
полупроводники
--
электронная
--
эмиссия
--
электрический
--
разряд
Аннотация:
Пособие представляет курс лекций, в которых дано систематическое изложение современной электроники, охватывающей как основные теоретические представления, так и важнейшие экспериментально установленные факты для объяснения принципов действия широкого круга электронных приборов и устройств, изложены физические основы процессов, лежащих в основе работы электронных приборов. Предназначено для бакалавров направления подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи.
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/314098?urlId=N4MtGPJZhtEJrBXdU9SOuDFzIKeIvn6E+eOvNaKN1mgN/fmGBEKJ1L0aCw9+i2q8vT2r5dkDX46ARBnHjaVJ1w==
Доп.точки доступа:
Пигулев, Роман Витальевич
Свободных экз. нет
Найти похожие
12.
621.3
П 75
Привалов, Е. Е.
.
Электроматериаловедение [Текст] : учебное пособие / Е. Е. Привалов. - Ставрополь : АГРУС, 2012. - 196 с. ; нет. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
621.3
ББК
31.2
Кл.слова (ненормированные):
материаловедение
--
электроснабжение
--
проводники
--
полупроводники
--
диэлектрики
--
электроустановки
--
магнитные
--
материалы
Аннотация:
Изложены основы материаловедения для диэлектрических, проводниковых, полупроводниковых и магнитных материалов электроустановок систем электроснабжения сельскохозяйственных объектов. Приведены электрические, тепловые,механические и другие характеристики проводников, диэлектриков, полупроводников и магнитов, даны области применения материалов в электроустановках различного назначения.
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/314472?urlId=UJ0O1GhIqpl4kjmiCE9tR69cz09Ge/iOiO+bbek0wINAbju68KXgA+RZGoEo6XvnRWUjnhz6jy3jW0+wUxBUHQ==
Доп.точки доступа:
Ставропольский гос. аграрный ун-т
Свободных экз. нет
Найти похожие
13.
Методическая разработка для
практических занятий и самостоятельной работы по учебной дисциплине «Физические основы электроники» [Текст] / С. В. Ситникова , А. С. Арефьев. - Самара : Изд-во ПГУТИ, 2013. - 45 с. ; нет. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
Кл.слова (ненормированные):
электроника
--
полупроводники
Аннотация:
Методическая разработка предназначена для организации самостоятельной работы и практических занятий студентов, обучающихся по направлениям подготовки бакалавров: 210700 - Инфокоммуникационные технологии и сети связи, 210400 - Радиотехника, 090900 - Информационная безопасность. Для организации практических аудиторных занятий методическая разработка включает в себя сборник типовых задач, часть из которых содержит несколько вариантов исходных данных. Это позволит сделать студентам определенные выводы и лучше подготовиться к итоговому тестированию. Кроме это- го, задания с несколькими вариантами могут быть использованы для проведения аудиторных контрольных работ на факультете заочного обучения. Краткие теоретические сведения включают в себя расчетные соотношения, необходимые для выполнения заданий. Для организации самостоятельной работы студентов методическая разработка содержит рекомендации по изучению дисциплины, список рекомендуемой литературы и список теоретических вопросов для подготовки к итоговому контролю.
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/319662?urlId=WdSd0RKrsHz/uwA27Urjz5QULNMwes8VtLdcfBcEswxQS7lEI7Fxd7lm4KasI3y4TpOQBppvVKNjWT/pKhqoQw==
Доп.точки доступа:
Ситникова , С. В.; Арефьев, А. С.
Свободных экз. нет
Найти похожие
14.
537
И 88
Исследование природы гистерезиса
спектральной зависимости фототока в кристаллах CdS [Текст] / Александр Сергеевич Батырев, Рустем Александрович Бисенгалиев, Михаил Окаевич Тагиров . - Элиста : Калмыцкий государственный университет, 2012. - 3 с. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
537
ББК
22.33
Кл.слова (ненормированные):
гистерезис
--
спектральная
--
зависимость
--
фототоки
--
кристаллы
--
cds
--
полупроводники
Аннотация:
Исследованы спектры низкотемпературной (77К) фотопроводимости кристаллов CdS в области края поглощения в зависимости от направления сканирования длины волны возбуждающего света. Предполагается, что гистерезисный характер спектральной зависимости фототока в CdS обусловлен оптической перезарядкой r-центра - глубокого компенсированного собственно-дефектного акцептора, ассоциированного с мелким донором // Актуальные проблемы современной физики и математики, Труды III межрегиональной научно-практической конференции, Элиста, Калмыцкий государственный университет, 21-25 ноября 2011 г. - Элиста : Издательство КалмГУ, 2012. - С. 76-78.
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/352912?urlId=PzPtmn7jURDczncgNqTjQC2YJiVP6+Iu4Zi7V7E6Vu3lDVh6vDrn/XCZJJ66c0JmfcSmopKr2Tg1OMPtLHKPPw==
Доп.точки доступа:
Батырев, Александр Сергеевич; Бисенгалиев, Рустем Александрович; Тагиров , Михаил Окаевич
Свободных экз. нет
Найти похожие
15.
537
Ф 79
Формирование экситонной структуры
в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS при модулированном возбуждении [Текст] / Александр Сергеевич Батырев [и др.]. - Элиста : Калмыцкий государственный университет, 2013. - 4 с. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
537
ББК
22.33
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники
--
экситоны
--
кристаллы
--
cds
--
фотопроводимость
--
кристаллов
--
модулированное
--
возбуждение
Аннотация:
Исследованы низкотемпературные (77К) спектры фотопроводимости кристаллов CdS на различных частотах модуляции фотовозбуждения. Получен эффект трансформации спектральной кривой фотопроводимости типа 1 в кривую типа 2 при переходе от немодулированного к модулированному возбуждению фотопроводимости. Предложена модель формирования тонкой (экситонной) структуры в спектрах модулированного возбуждения фотопроводимости полупроводника // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, Вып. 9. - С. 1165-1168.
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/352915?urlId=jjYVc7uoRASoRDpZaHyWdfD0AxsEyDIeSHx6ET2PysSQHlAx7r95VtTNY0zenTXAvCIAjph7SzlkBA84ROzjRg==
Доп.точки доступа:
Батырев, Александр Сергеевич; Бисенгалиев, Рустем Александрович; Новиков, Борис Владимирович; Тагиров, Михаил Окаевич
Свободных экз. нет
Найти похожие
16.
537
О-62
Оптическое проявление закрепления
уровня Ферми на поверхности в кристаллах CdSe [Текст] / Александр Сергеевич Батырев [и др.]. - Элиста : Калмыцкий государственный университет, 2011. - 5 с. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
537
ББК
22.33
Кл.слова (ненормированные):
Оптические
--
проявления
--
уровень
--
Ферми
--
пиннинг
--
уровня
--
ферми
--
спектры
--
экситонного
--
отражения
--
экситонное
--
отражение
--
света
--
кристаллы
--
cdse
--
электронные
--
бомбардировки
--
спайковые
--
структуры
--
эффект
--
остановки
--
вращения
--
остановка
--
вращения
--
полупроводники
Аннотация:
В низкотемпературных (4,2 К) спектрах экситонного отражения света кристаллов СвSe, подвергнутых облучению низкоэнергетических (несколько кэB) электронов, обнаружен эффект остановки "вращения" на частоте продольного экситона. Предполагается связь этого с закреплением (пиннингом) уровня Ферми на поверхности полупроводников // Вестник Калмыцкого университета. - 2011. - N 12. - С. 46-50.
Файл:
rucont.ru - 0
Перейти:
http://rucont.ru/efd/352921?urlId=jG82tUfE0XTPBloCkX5vVOZfERYPLb+WBMLzuXv+ImeIeuPPpcXXgeJ0irGYcUmFEa84o9EjHyCjNLJxTO0k7w==
Доп.точки доступа:
Батырев, Александр Сергеевич; Бисенгалиев, Рустем Александрович; Новиков, Борис Владимирович; Сумьянова, Елена Владимировна
Свободных экз. нет
Найти похожие
1..16