539.2(075)
К 61


    Колпаков, В. А.
    Основы физики твердого тела [Текст] : [учеб. пособие для заоч. формы обучения] / В. А. Колпаков, А. И. Колпаков, С. В. Кричевский . - Самара : Издательство СГАУ, 2010. - 97 с. ; нет. - ISBN 978-5-7883-0764-0 : Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
ББК 22.3

Кл.слова (ненормированные):
физика -- твердого -- тела -- электронные -- свойства -- твердого -- тела -- электроны -- полупроводники -- статистика -- Ферми-Дирака -- закон -- действующих -- масс
Аннотация: Основы физики твердого тела. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/176330?urlId=M/Jxf1m758Weu+7nceifIq5xCWeAhR4iGle5G3A635uSOb0OPIjp5a6p1DfcB3fQhgIXfU9rTiDRO2ZCJOaRRw==

Доп.точки доступа:
Колпаков, А.И.; Кричевский , С.В.
Свободных экз. нет

531.3+537.311.322
К 89


    Кузнецова, И. А..
    Физическая кинетика полупроводников [Текст] : учеб. пособие / И. А. Кузнецова. - Ярославль : ЯрГУ, 2006. - 104 с. ; нет. - ISBN 978-5-8397-0502-9 : Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
ББК В379.35я73

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- физическая -- кинетика -- полупроводников -- кинетические -- процессы -- явления -- переноса -- электропроводность
Аннотация: Основное внимание в учебном пособии уделено изложению линейной классической теории стационарных явлений переноса в полупроводниках. Рассмотрен наиболее простой случай сферически-симметричной энергетической зоны. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в тонких проволоках в переменном электрическом поле. Пособие написано на основе лекционного курса, читаемого автором в течение ряда лет для студентов физического факультета ЯрГУ. Вместе с тем пособие не является конспектом лекций, поскольку содержит дополнительный материал для желающих изучить предмет более глубоко.

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/200164?urlId=mZB6wY9oxCd3Vf/wJEfjv7L1lY3ZdImQ7s5CNGTmBfEVV/EDZFzTR1h27ICaJRmmZAw46pX15Kwwm/hG0udAbQ==

Доп.точки доступа:
Яросл. гос. ун-т
Свободных экз. нет

537.311.322
П 53


   
    Полупроводниковые диоды [Текст] : метод. указания по выполнению лаб. работ. - Ярославль : ЯрГУ, 2007. - 62 с. ; нет. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
ББК З852.2я73

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые -- диоды -- полупроводники
Аннотация: В методических указаниях содержатся теоретические сведения и излагается порядок выполнения лабораторных работ по изучению физических основ работы полупроводниковых диодов.

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/206978?urlId=Ilxl+NvBa6m4VObFUFHNtdEhMLJr8SLE616UzZRbfiQgynyFwOrZqPZ1D57U3atmg9vgy6v/pFLcd+hIH0pXKg==

Доп.точки доступа:
Зимин, С. П. \авитель.\; Петровская, Т. А. \авитель.\; Яросл. гос. ун-т
Свободных экз. нет

539.2
Б 86


    Бочкарева, Л. В..
    Физика полупроводников и полупроводниковых приборов [Текст] : метод. указания / Л. В. Бочкарева, А. С. Рудый , А. Б. Чурилов. - Ярославль : ЯрГУ, 2007. - 68 с. ; нет. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
ББК В379.2я73

Кл.слова (ненормированные):
физика -- полупроводников -- полупроводниковые -- приборы -- полупроводники
Аннотация: Методические указания содержат описания лабораторных работ. Предназначены для студентов, обучающихся по специальности 010803 Микроэлектроника и полупроводниковые приборы (дисциплина «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов», блок ОПД), очной формы обучения.

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/206983?urlId=JczmcmUi31hvMedf0t3iB6c8WCHP5LMPUqzKZCD9Bwlbfy87Xbc8WfGsLjxR4A/8Ij2uyPBM1CkTIluvinzASg==

Доп.точки доступа:
Рудый , А. С.; Чурилов, А. Б.; Яросл. гос. ун-т
Свободных экз. нет

533.9:620.5
М 74


   
    Модификация нанослоев в высокочастотной плазме пониженного давления [Текст] : монография / И. Ш. Абдуллин [и др.]. - Казань : КГТУ, 2007. - 370 с. ; есть. - ISBN 978-5-7882-0553-3 : Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
ББК 22.333

Кл.слова (ненормированные):
модификация -- нанослоев -- нанослои -- материалов -- высокочастотная -- плазма -- пониженного -- давления -- качество -- изделий -- плазменная -- обработка -- материалов -- металлы -- сплавы -- полупроводники -- диэлектрики -- тонкопленочные -- покрытия -- наноматериалы -- нанотехнологии
Аннотация: Работа посвящена модификации поверхностного нанослоя металлов, их сплавов, полупроводников, диэлектриков, тонкопленочных покрытий с помощью высокочастотных разрядов индукционного и емкостного типов при пониженном давлении. Описывается физическая и математическая модели модификации поверхности материалов в высокочастотной плазме пониженного давления, а также результаты теоретического исследования закономерностей формирования основных параметров процесса модификации.

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/229663?urlId=c7PQmrWq4Jk3J2LZ8LWQD+yhE03ga8D/a3bjhppEaZiqQKbkMV8Wb8+hZdDaIBQIwTBdbgVPNtrjl2dzMJe3ww==
!odfp_W.pft: FILE NOT FOUND!
Свободных экз. нет

539.21:541.182
З-62


    Зимин, С. П..
    Наноструктурированные халькогениды свинца [Текст] : монография / С. П. Зимин, Е. С. Горлачев. - Ярославль : ЯрГУ, 2011. - 232 с. ; есть. - ISBN 978-5-8397-0861-7 : Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
ББК 22.379

Кл.слова (ненормированные):
наноструктурированные -- полупроводники -- халькогениды -- свинца
Аннотация: В монографии излагается современное состояние науки о формировании, исследовании и свойствах наноструктурированных полупроводников халькогенидов свинца PbX (X = Те, Se, S). Рассмотрены размерные эффекты в изучаемых материалах, подробно обсуждены новые подходы создания низкоразмерных систем на основе электрохимических и плазменных процессов.

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/237953?urlId=c8Z0+wtmkpkkGjHejKPw4qVRdh+v0ZwWkufzYP2xPeVpUGu9BdH1pwN86XxtG2ejzxmRz3s7w1MBm4voc1NIwA==

Доп.точки доступа:
Горлачев, Е. С.; Яросл. гос. ун-т им. П. Г. Демидова
Свободных экз. нет

621.316.825
Р 83


    Рудь, Н. А..
    Изучение терморезистора [Текст] : метод. указания / Н. А. Рудь, А. Н. Сергеев. - Ярославль : ЯрГУ, 2012. - !ofizxar_H.pft: FILE NOT FOUND! . - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
ББК 22.379.2я73

Кл.слова (ненормированные):
терморезисторы -- физика -- твердого -- тела -- металлы -- полупроводники -- диэлектрики -- теория -- проводимости
Аннотация: В данных методических указаниях рассматриваются теоретические основы электрической проводимости в терморезисторах, даётся классификация материалов по величине и механизму проводимости, сравниваются особенности классической и современной теории проводимости. Описаны устройство и применение терморезисторов с различными типами проводимости. Подробно излагается порядок выполнения лабораторной работы общего физического практикума «Изучение терморезистора». Издание осуществлено при финансовой поддержке Программы АВЦП «Развитие научного потенциала высшей школы» (проект № 2.1.1/13083).

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/238204?urlId=NG//H34CsszthbdhdVfpQ+q4klHS3SWkg8dfeK2SI+hOpuRaCW+zz8rBkiGsA8GV+0UH1575mANG7RxN77gVNQ==

Доп.точки доступа:
Сергеев, А. Н.; Яросл. гос. ун-т им. П. Г. Демидова
Свободных экз. нет



   
    Внутренний фотоэффект в полупроводниках [Текст]. - Воронеж : Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2009. - 20 с. ; нет. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
Кл.слова (ненормированные):
физика -- полупроводников -- полупроводники -- внутренний -- фотоэффект -- фотоэлектрические -- эффекты -- фоторезистивный -- эффект -- фотодиффузионный -- эффект -- фотомагнитный -- эффект
Аннотация: Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/245141?urlId=AUrKVZm9AmKg4quplTKKfRJ8S/y5iE299tv6dLaAqJVCEg2VJoRWsPdH2vf9wYuEGa5XulwCqdX0lH2Ga7Byng==

Доп.точки доступа:
Владимирова, Людмила Николаевна \авитель.\; Бормонтов, Евгений Николаевич \авитель.\; Берло, Екатерина Николаевна \авитель.\
Свободных экз. нет



   
    Определение удельного сопротивления полупроводников четырехзондовым методом [Текст]. - Воронеж : Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2009. - 18 с. ; нет. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
Кл.слова (ненормированные):
физика -- полупроводников -- полупроводники -- удельное -- сопротивление -- определение -- удельного -- сопротивления -- четырехзондовый -- метод
Аннотация: Учебно-методическое пособие по дисциплине «Физические основы полупроводников и микроэлектроники» подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/245153?urlId=KsRtwH1PNpM36AaeTHXp+qSW3D7QnwnHYJ+s3hD4VhSW1Q+YCXmBCCR13BYe6jI502cMN1otHEuBeYW9BdHd0Q==

Доп.точки доступа:
Владимирова, Людмила Николаевна \авитель.\; Бормонтов, Евгений Николаевич \авитель.\; Петраков, Владимир Иванович \авитель.\
Свободных экз. нет



   
    Определение типа проводимости полупроводника [Текст]. - Воронеж : Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2009. - 19 с. ; нет. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
Кл.слова (ненормированные):
физика -- полупроводников -- полупроводники -- проводимость -- тип -- проводимости -- определение -- типа -- проводимости
Аннотация: Учебно-методическое пособие по дисциплине «Физические основы полупроводников и микроэлектроники» подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/245413?urlId=eI/C9opFr4p7cgHtzED0W7VeNVTvJyRdeVutz4LvAMVmlnXckx6+EkGfzTMBzsT0y/IqqYW3kXMc8JZDCKJC7Q==

Доп.точки доступа:
Владимирова, Людмила Николаевна \авитель.\; Бормонтов, Евгений Николаевич \авитель.\; Петраков, Владимир Иванович \авитель.\
Свободных экз. нет

519.7:004.8
В 16


    Валюхов, Дмитрий Петрович.
    Физические основы электроники [Текст] !ibis922.pft: FILE NOT FOUND! . - Ставрополь : изд-во СКФУ, 2014. - 135 с. ; есть. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
ББК 22.18:32.85

Кл.слова (ненормированные):
Электроника -- полупроводники -- электронная -- эмиссия -- электрический -- разряд
Аннотация: Пособие представляет курс лекций, в которых дано систематическое изложение современной электроники, охватывающей как основные теоретические представления, так и важнейшие экспериментально установленные факты для объяснения принципов действия широкого круга электронных приборов и устройств, изложены физические основы процессов, лежащих в основе работы электронных приборов. Предназначено для бакалавров направления подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи.

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/314098?urlId=N4MtGPJZhtEJrBXdU9SOuDFzIKeIvn6E+eOvNaKN1mgN/fmGBEKJ1L0aCw9+i2q8vT2r5dkDX46ARBnHjaVJ1w==

Доп.точки доступа:
Пигулев, Роман Витальевич
Свободных экз. нет

621.3
П 75


    Привалов, Е. Е..
    Электроматериаловедение [Текст] : учебное пособие / Е. Е. Привалов. - Ставрополь : АГРУС, 2012. - 196 с. ; нет. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
ББК 31.2

Кл.слова (ненормированные):
материаловедение -- электроснабжение -- проводники -- полупроводники -- диэлектрики -- электроустановки -- магнитные -- материалы
Аннотация: Изложены основы материаловедения для диэлектрических, проводниковых, полупроводниковых и магнитных материалов электроустановок систем электроснабжения сельскохозяйственных объектов. Приведены электрические, тепловые,механические и другие характеристики проводников, диэлектриков, полупроводников и магнитов, даны области применения материалов в электроустановках различного назначения.

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/314472?urlId=UJ0O1GhIqpl4kjmiCE9tR69cz09Ge/iOiO+bbek0wINAbju68KXgA+RZGoEo6XvnRWUjnhz6jy3jW0+wUxBUHQ==

Доп.точки доступа:
Ставропольский гос. аграрный ун-т
Свободных экз. нет



537
И 88


   
    Исследование природы гистерезиса спектральной зависимости фототока в кристаллах CdS [Текст] / Александр Сергеевич Батырев, Рустем Александрович Бисенгалиев, Михаил Окаевич Тагиров . - Элиста : Калмыцкий государственный университет, 2012. - 3 с. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
ББК 22.33

Кл.слова (ненормированные):
гистерезис -- спектральная -- зависимость -- фототоки -- кристаллы -- cds -- полупроводники
Аннотация: Исследованы спектры низкотемпературной (77К) фотопроводимости кристаллов CdS в области края поглощения в зависимости от направления сканирования длины волны возбуждающего света. Предполагается, что гистерезисный характер спектральной зависимости фототока в CdS обусловлен оптической перезарядкой r-центра - глубокого компенсированного собственно-дефектного акцептора, ассоциированного с мелким донором // Актуальные проблемы современной физики и математики, Труды III межрегиональной научно-практической конференции, Элиста, Калмыцкий государственный университет, 21-25 ноября 2011 г. - Элиста : Издательство КалмГУ, 2012. - С. 76-78.

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/352912?urlId=PzPtmn7jURDczncgNqTjQC2YJiVP6+Iu4Zi7V7E6Vu3lDVh6vDrn/XCZJJ66c0JmfcSmopKr2Tg1OMPtLHKPPw==

Доп.точки доступа:
Батырев, Александр Сергеевич; Бисенгалиев, Рустем Александрович; Тагиров , Михаил Окаевич
Свободных экз. нет

537
Ф 79


   
    Формирование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS при модулированном возбуждении [Текст] / Александр Сергеевич Батырев [и др.]. - Элиста : Калмыцкий государственный университет, 2013. - 4 с. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
ББК 22.33

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- экситоны -- кристаллы -- cds -- фотопроводимость -- кристаллов -- модулированное -- возбуждение
Аннотация: Исследованы низкотемпературные (77К) спектры фотопроводимости кристаллов CdS на различных частотах модуляции фотовозбуждения. Получен эффект трансформации спектральной кривой фотопроводимости типа 1 в кривую типа 2 при переходе от немодулированного к модулированному возбуждению фотопроводимости. Предложена модель формирования тонкой (экситонной) структуры в спектрах модулированного возбуждения фотопроводимости полупроводника // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, Вып. 9. - С. 1165-1168.

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/352915?urlId=jjYVc7uoRASoRDpZaHyWdfD0AxsEyDIeSHx6ET2PysSQHlAx7r95VtTNY0zenTXAvCIAjph7SzlkBA84ROzjRg==

Доп.точки доступа:
Батырев, Александр Сергеевич; Бисенгалиев, Рустем Александрович; Новиков, Борис Владимирович; Тагиров, Михаил Окаевич
Свободных экз. нет

537
О-62


   
    Оптическое проявление закрепления уровня Ферми на поверхности в кристаллах CdSe [Текст] / Александр Сергеевич Батырев [и др.]. - Элиста : Калмыцкий государственный университет, 2011. - 5 с. - Б. ц.
Авторизованный доступ для Академии МУБиНТ. Логин - ваш почтовый адрес от Office365, пароль - mubint
УДК
ББК 22.33

Кл.слова (ненормированные):
Оптические -- проявления -- уровень -- Ферми -- пиннинг -- уровня -- ферми -- спектры -- экситонного -- отражения -- экситонное -- отражение -- света -- кристаллы -- cdse -- электронные -- бомбардировки -- спайковые -- структуры -- эффект -- остановки -- вращения -- остановка -- вращения -- полупроводники
Аннотация: В низкотемпературных (4,2 К) спектрах экситонного отражения света кристаллов СвSe, подвергнутых облучению низкоэнергетических (несколько кэB) электронов, обнаружен эффект остановки "вращения" на частоте продольного экситона. Предполагается связь этого с закреплением (пиннингом) уровня Ферми на поверхности полупроводников // Вестник Калмыцкого университета. - 2011. - N 12. - С. 46-50.

Файл:  rucont.ru - 0Перейти: http://rucont.ru/efd/352921?urlId=jG82tUfE0XTPBloCkX5vVOZfERYPLb+WBMLzuXv+ImeIeuPPpcXXgeJ0irGYcUmFEa84o9EjHyCjNLJxTO0k7w==

Доп.точки доступа:
Батырев, Александр Сергеевич; Бисенгалиев, Рустем Александрович; Новиков, Борис Владимирович; Сумьянова, Елена Владимировна
Свободных экз. нет